ال Samsung Galaxy S26 Ultra وبحسب ما ورد سيتلقى دفعة الطاقة ليس فقط من رقاقة من الجيل الجديد ولكن أيضًا أحدث تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي.تسرب عالم الجليد كشفت أن مجرة S26 Ultra سوف تتميز بذاكرة معدل بيانات مزدوجة منخفضة الطاقة (LPDDR5x) بسرعة تصل إلى 10.7 جيجابت في الثانية (GBPs). هذا المكون سوف فيما يبدو يتم الحصول عليها من منتج الذاكرة ميكرون.
من المتوقع أن يكون لدى Galaxy S26 Ultra ذاكرة الوصول العشوائي بشكل أسرع من Galaxy S25 Ultra.
ال Galaxy S25 Ultra، مثل معظم أعلى هواتف Android مدعوم من منصة Qualcomm Snapdragon Elite Mobile ، يأتي مع LPDDR5x مبني على الجيل السابق من Micron 1β (1-beta) تقنية العملية ويقدم سرعات تصل إلى 9.6 جيجابت في الثانية.
في المقابل ، و مجرة S26 Ultraسوف يعتمد ذاكرة الوصول العشوائي على تقنية Micron 1γ (1-gamma).
ستكون شريحة ذاكرة Galaxy S26 Ultra أسرع وأكثر كفاءة في الطاقة. | صورة الائتمان – ميكرون
يدعي Micron أن 1γ LPDDR5x يوفر أسرع سرعة في الصناعة في الصناعة-10.7 جيجابت في الثانية-مما يجعلها مثالية لحالات استخدام الذكاء الاصطناعى والتطبيقات المكثفة للبيانات. يمكن للمستخدمين توقع استجابة أسرع وأوقات تسليم النتائج.
نشر لأول مرة على: www.phonearena.com
تاريخ النشر: 2025-08-10 20:38:00
الكاتب: Anam Hamid
تم اقتباس هذا الخبر من التالي:
www.phonearena.com
وقد نُشر الخبر لأول مرة بتاريخ: 2025-08-10 20:38:00
يود موقع “بتوقيت بيروت” التوضيح أن الآراء والمعلومات الواردة في هذا الخبر لا تعبّر بالضرورة عن موقف الموقع، وتبقى المسؤولية الكاملة على عاتق الأصلي.
ملاحظة: قد يتم أحيانًا اعتماد الترجمة التلقائية عبر خدمة Google لتوفير هذا المحتوى.
