تقرير جديد يقول ذلك
سامسونج الآن
الحافز للخروج وتطوير الجيل القادم من رقائق ذاكرة الوصول العشوائي والتي من شأنها استخدام معيار LPDDR6 RAM. ما يمنح Samsung الحافز لتسريع تطوير ذاكرة الوصول العشوائي من الجيل التالي هو الأخبار التي تشير إلى أن تكنولوجيا الذاكرة المبتكرة في الصين (CXMT) قد أكملت تطوير ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X. ونتيجة لذلك ، فإن CXMT تقلل من الرصاص الذي لدى Samsung عليها عندما يتعلق الأمر برقائق RAM.
تمتلك Samsung بالفعل عميلًا محتملًا لبطاطا RAM LPDDR6 ، حيث ورد أن Qualcomm ستدعم رقاقة RAM الجديدة مع معالج تطبيقات Snapdragon 8 Elite 2 القادم القادم (AP). هذه هي SOC التي ستقوم بتشغيل
Samsung Galaxy S26 Ultra في جميع المناطق في أوائل العام المقبل. سيتم تصنيعها بواسطة TSMC باستخدام عقدة 3NM من الجيل الثالث (N3P). بالطبع ، تتوقع Samsung بيع رقائق LPDDR6 RAM للعديد من العملاء الآخرين.
استخدمت Samsung رقاقة RAM LPDDR5X 12NM على Galaxy S25 Ultra. | صورة الائتمان samsung
ربما يكون CXMT قد ضغطت على Samsung للمضي قدمًا في ذاكرة الوصول العشوائي من الجيل التالي بسرعة أكبر مما قد يكون خلاف ذلك. ضع في اعتبارك أنه بناءً على تقارير من أواخر العام الماضي وأوائل هذا العام ، فإن CXMT لديها فقط 5 ٪ من سوق RAM العالمي. SK Hynix من كوريا الجنوبية هي الرائدة التي تصدرت سامسونج مع حوالي 36 ٪ من سوق RAM العالمي. Samsung هي التالية مع حصة السوق في نطاق يتراوح بين 33.7 ٪ – 34.4 ٪. هذا يترك تكنولوجيا Micron وشريحة لها 24.3 ٪ -25 ٪ من فطيرة RAM العالمية.
رقاقة RAM LPDDR5X التي تم بناؤها بواسطة Samsung وتستخدم على
Samsung Galaxy S25 Ultra تم تصنيع كل من المتغيرات البالغة 12 جيجابايت و 16 جيجابايت على عقدة عملية Samsung Foundry 12NM. الإصدارات السابقة من رقاقة RAM LPDDR5X من Samsung ، مثل الإبلاغ المستخدم على
Galaxy S23 Ultra، تم بناؤه بواسطة Samsung Foundry باستخدام عقدة عملية 14NM.
اقرأ الأحدث من آلان فريدمان
مصدر الخبر
نشر الخبر اول مرة على موقع :www.phonearena.com
بتاريخ:2025-06-09 05:13:00
الكاتب:Alan Friedman
ادارة الموقع لا تتبنى وجهة نظر الكاتب او الخبر المنشور بل يقع على عاتق الناشر الاصلي
Source link
